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磁控濺射陰極的工作原理

更新時(shí)間:2011-10-25      點(diǎn)擊次數(shù):5925

磁控就是通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng),利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率的方法。AR玻璃就是利用這種技術(shù)在普通的強(qiáng)化玻璃表面鍍上一層減反射膜,有效地消減了玻璃本身的反射,增加了玻璃的透過(guò)率。

磁控濺射陰極是指電子在電場(chǎng)E的作用下,在飛向基片過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar 和新的電子;新電子飛向基片,Ar 在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用,產(chǎn)生E(電場(chǎng))×B(磁場(chǎng))所指的方向漂移,簡(jiǎn)稱E×B漂移,其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于一條擺線。隨著碰撞次數(shù)的增加,二次電子的能量消耗殆盡,逐漸遠(yuǎn)離靶表面,并在電場(chǎng)E的作用下zui終沉積在基片上。由于該電子的能量很低,傳遞給基片的能量很小,致使基片溫升較低。

磁控濺射陰極種類繁多,各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象,但都是利用磁場(chǎng)與電子交互作用,使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行,從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

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